Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN2013UFDE-7

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3405213

DMN2013UFDE-7 attēls

Diodes Incorporated

DMN2013UFDE-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.222

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMN2013UFDE-7
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

DMN2013UFDE-7.pdf
ECAD modelis
Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

U-DFN2020-6 (Type E)
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

660mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

6-UDFN Exposed Pad
Citi vārdi

DMN2013UFDE-7DITR
DMN2013UFDE7
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2453pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

25.8nC @ 8V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

10.5A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMN2013UFDE-7” saistītie produkti.

DMN2009LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2014LHAB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2016LHAB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2015UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2011UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2008LFU-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2008LFU-7

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2011UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2011UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2011UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2011UFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2016LFG-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2020LSN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2010UDZ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.