Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMN2016LFG-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
843832DMN2016LFG-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN2016LFG-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.80
10+
$0.671
100+
$0.503
500+
$0.369
1000+
$0.285
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN2016LFG-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN2016LFG-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    U-DFN3030-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Jauda - maks
    770mW
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerUDFN
  • Citi vārdi
    DMN2016LFG-7DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1472pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 770mW Surface Mount U-DFN3030-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.2A
  • Bāzes daļas numurs
    DMN2016L

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN2016LFG-7” saistītie produkti.
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Apraksts: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2016UTS-13

DMN2016UTS-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.