Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN2011UFDE-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2000387DMN2011UFDE-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN2011UFDE-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.259
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN2011UFDE-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN2011UFDE-13.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    610mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-UDFN Exposed Pad
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3372pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    84nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    11.7A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN2011UFDE-13” saistītie produkti.
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.