Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN2009LSS-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6364139DMN2009LSS-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN2009LSS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.33
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN2009LSS-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN2009LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SOP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2555pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    58.3nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN2009LSS-13” saistītie produkti.
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005LPK-7

DMN2005LPK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.