Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN2005LPK-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2813690DMN2005LPK-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN2005LPK-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.62
10+
$0.436
100+
$0.287
500+
$0.169
1000+
$0.13
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN2005LPK-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN2005LPK-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 10mA, 4V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    450mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    3-UFDFN
  • Citi vārdi
    DMN2005LPK-7DIDKR
  • Darbības temperatūra
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 440mA (Ta) 450mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    440mA (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN2005LPK-7” saistītie produkti.
DMN2005DLP4K-7

DMN2005DLP4K-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004DWKQ-7

DMN2004DWKQ-7

Apraksts: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004DWK-7

DMN2004DWK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005LP4K-7

DMN2005LP4K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004VK-7

DMN2004VK-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004K-7

DMN2004K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UFG-13

DMN2005UFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UPS-13

DMN2005UPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2004TK-7

DMN2004TK-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005UFG-7

DMN2005UFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2005K-7

DMN2005K-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.