Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > UH3C-M3/9AT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
198668UH3C-M3/9AT attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

UH3C-M3/9AT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7000+
$0.202
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    UH3C-M3/9AT
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    UH3C-M3/9AT.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    2.5A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-214AB, (SMC)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    42pF @ 4V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-214AB, SMC
  • Darba temperatūra - savienojums
    40ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    35 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    UH3C-M3/9AT
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 150V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • Diode konfigurācija
    5µA @ 150V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.05V @ 3A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    150V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “UH3C-M3/9AT” saistītie produkti.
UH3D-M3/9AT

UH3D-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3C-M3/57T

UH3C-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
SE100PWJ-M3/I

SE100PWJ-M3/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBR8B60P5-7

SBR8B60P5-7

Apraksts: DIODE SBR 60V 5A POWERDI5

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3BHE3_A/H

UH3BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FR85GR05

FR85GR05

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 400V 85A DO5

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UH3B-E3/57T

UH3B-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3B-M3/9AT

UH3B-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3C-E3/9AT

UH3C-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-M3/57T

UH3D-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3C-E3/57T

UH3C-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.