Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > UH3BHE3_A/H
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2367724UH3BHE3_A/H attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

UH3BHE3_A/H

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3400+
$0.244
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    UH3BHE3_A/H
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    UH3BHE3_A/H.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.05V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    100V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AB (SMC)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    40ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AB, SMC
  • Citi vārdi
    UH3BHE3/57T
    UH3BHE3/57T-ND
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 100V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    UH3B

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “UH3BHE3_A/H” saistītie produkti.
UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3B-M3/9AT

UH3B-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
GP10-4007EHE3/53

GP10-4007EHE3/53

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3D-M3/57T

UH3D-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3B-E3/57T

UH3B-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3C-E3/57T

UH3C-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-M3/9AT

UH3D-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3C-M3/9AT

UH3C-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3C-E3/9AT

UH3C-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SFA1005GHC0G

SFA1005GHC0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
UH3C-M3/57T

UH3C-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
B530C-13-F

B530C-13-F

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 30V 5A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.