Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > UH3B-M3/57T
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5123026UH3B-M3/57T attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

UH3B-M3/57T

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
5100+
$0.202
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    UH3B-M3/57T
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    UH3B-M3/57T.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    2.5A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-214AB, (SMC)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    42pF @ 4V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-214AB, SMC
  • Darba temperatūra - savienojums
    40ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    35 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    UH3B-M3/57T
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • Diode konfigurācija
    5µA @ 100V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.05V @ 3A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    100V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “UH3B-M3/57T” saistītie produkti.
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3C-M3/57T

UH3C-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3C-E3/9AT

UH3C-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-VSKE56/14

VS-VSKE56/14

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 60A ADDAPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-M3/9AT

UH3D-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3B-M3/9AT

UH3B-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SS36L RQG

SS36L RQG

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
UH3B-E3/57T

UH3B-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH1PC-M3/84A

UH1PC-M3/84A

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 1A DO220AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3C-M3/9AT

UH3C-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3C-E3/57T

UH3C-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3BHE3_A/H

UH3BHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
UH3D-M3/57T

UH3D-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.