Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > RN2708JE(TE85L,F)

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5505227

RN2708JE(TE85L,F) attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2708JE(TE85L,F)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.57

10+

$0.409

25+

$0.318

100+

$0.241

250+

$0.17

500+

$0.136

1000+

$0.104

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN2708JE(TE85L,F)
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN2708JE(TE85L,F).pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Piegādātāja ierīču komplekts

ESV
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

47 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

22 kOhms
Jauda - maks

100mW
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

SOT-553
Citi vārdi

RN2708JE(TE85LF)CT
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

200MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

100nA (ICBO)
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN2708JE(TE85L,F)” saistītie produkti.

RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN262GT2R

Apraksts: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN262CST2R

Apraksts: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2702TE85LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2902,LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.