Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - RF > RN262GT2R
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1307159RN262GT2R attēlsLAPIS Semiconductor

RN262GT2R

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
8000+
$0.099
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RN262GT2R
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RN262GT2R.pdf
    2.RN262GT2R.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    30V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    VMD2
  • Sērija
    -
  • Pretestība @ Ja F,
    1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    100mW
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    2-SMD, Flat Lead
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    PIN - Single
  • Detalizēts apraksts
    RF Diode PIN - Single 30V 100mA 100mW VMD2
  • Pašreizējais - maksimālais
    100mA
  • Ietilpība @ Vr, F
    0.4pF @ 1V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RN262GT2R” saistītie produkti.
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Apraksts: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.