Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > RN2711(TE85L,F)

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5578574

RN2711(TE85L,F) attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2711(TE85L,F)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN2711(TE85L,F)
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN2711(TE85L,F).pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Piegādātāja ierīču komplekts

USV
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

-
Rezistors - bāze (R1)

10 kOhms
Jauda - maks

200mW
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Citi vārdi

RN2711(TE85LF)TR
RN2711TE85LF
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

200MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount USV
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

400 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

100nA (ICBO)
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN2711(TE85L,F)” saistītie produkti.

RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2902FE,LF(CT

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2902,LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2702TE85LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2902,LF(CT

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.