Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N5407G A0G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
66152711N5407G A0G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

1N5407G A0G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
500+
$0.141
1000+
$0.108
2500+
$0.094
5000+
$0.085
12500+
$0.075
25000+
$0.071
50000+
$0.063
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N5407G A0G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1N5407G A0G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    800V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-201AD
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tape & Box (TB)
  • Iepakojums / lieta
    DO-201AD, Axial
  • Citi vārdi
    1N5407G A0GTB
    1N5407G A0GTB-ND
    1N5407GA0GTB
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    12 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 800V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N5407G A0G” saistītie produkti.
1N5407

1N5407

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407TA

1N5407TA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Comchip Technology
Noliktavā
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407G-T

1N5407G-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N5407

1N5407

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407G

1N5407G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.