Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N5407-B
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
33121761N5407-B attēlsDiodes Incorporated

1N5407-B

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
500+
$0.174
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N5407-B
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    800V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-201AD
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    DO-201AD, Axial
  • Citi vārdi
    1N5407-BDI
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    6 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 800V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    1N5407
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
1N5407

1N5407

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor
Noliktavā
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
1N5406T-G

1N5406T-G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Comchip Technology
Noliktavā
1N5406RLG

1N5406RLG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
1N5406RL

1N5406RL

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
1N5406TA

1N5406TA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
1N5407-G

1N5407-G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Comchip Technology
Noliktavā
1N5407

1N5407

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
1N5407G-T

1N5407G-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
1N5407-T

1N5407-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
1N5407-TP

1N5407-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
1N5407G

1N5407G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu