Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > 1N5407G-T
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
23675651N5407G-T attēlsDiodes Incorporated

1N5407G-T

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.39
10+
$0.32
100+
$0.218
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N5407G-T
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    1N5407G-T.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.1V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    800V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-201AD
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    2µs
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    DO-201AD, Axial
  • Citi vārdi
    1N5407GCT
    1N5407GCT-ND
    1N5407GDICT
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    5µA @ 800V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    1N5407

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N5407G-T” saistītie produkti.
1N5407-TP

1N5407-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407GHR0G

1N5407GHR0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5407-G

1N5407-G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Comchip Technology
Noliktavā
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
1N5407GHB0G

1N5407GHB0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407G A0G

1N5407G A0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5407RLG

1N5407RLG

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407

1N5407

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407GHA0G

1N5407GHA0G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5407G

1N5407G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407RL

1N5407RL

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
1N5407TA

1N5407TA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N5408

1N5408

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.