Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N6625U
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6199377

JAN1N6625U

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N6625U
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Spriegums - sadalījums
    D-5A
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    SQ-MELF, A
  • Citi vārdi
    1086-19975
    1086-19975-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    30ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    JAN1N6625U
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A
  • Diode konfigurācija
    1µA @ 1000V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.75V @ 1A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    1000V (1kV)
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N6625U” saistītie produkti.
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Apraksts: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.