Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N6623
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5841537

JAN1N6623

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N6623
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N6623.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Spriegums - sadalījums
    A-PAK
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    A, Axial
  • Citi vārdi
    1086-19964
    1086-19964-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    30ns
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    JAN1N6623
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 800V 1A Through Hole A-PAK
  • Diode konfigurācija
    500nA @ 800V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.55V @ 1A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    800V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N6623” saistītie produkti.
JAN1N6620

JAN1N6620

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Apraksts: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Apraksts: TVS DIODE 14CDIP

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Apraksts: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.