Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N6623US
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2673682

JAN1N6623US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$17.017
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N6623US
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 880V 1A D5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.55V @ 1A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    880V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D-5A
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SQ-MELF, A
  • Citi vārdi
    1086-19968
    1086-19968-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 880V 1A Surface Mount D-5A
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    500nA @ 880V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N6623US” saistītie produkti.
JAN1N6621

JAN1N6621

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Apraksts: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Apraksts: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Apraksts: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Apraksts: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Apraksts: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.