Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N5618
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4320272

JAN1N5618

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
132+
$7.713
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N5618
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N5618.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    A, Axial
  • Citi vārdi
    1086-2108
    1086-2108-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    2µs
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    JAN1N5618
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Diode konfigurācija
    500nA @ 600V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    600V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N5618” saistītie produkti.
JAN1N5621

JAN1N5621

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Apraksts: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.