Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N5614
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4670691JAN1N5614 attēlsMicrosemi

JAN1N5614

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$8.25
10+
$7.425
100+
$6.105
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N5614
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N5614.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.3V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    2µs
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    A, Axial
  • Citi vārdi
    1086-2101
    1086-2101-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 200°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    500nA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N5614” saistītie produkti.
JAN1N5558

JAN1N5558

Apraksts: TVS DIODE 175V 265V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Apraksts: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Apraksts: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Apraksts: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.