Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > JAN1N5621US
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4143549

JAN1N5621US

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    JAN1N5621US
  • Ražotājs / zīmols
    Microsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    JAN1N5621US.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.6V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    800V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D-5A
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    300ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    SQ-MELF, A
  • Citi vārdi
    1086-2113
    1086-2113-MIL
  • Darba temperatūra - savienojums
    -65°C ~ 175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount D-5A
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    500nA @ 800V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “JAN1N5621US” saistītie produkti.
JAN1N5618

JAN1N5618

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Apraksts: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5623US

JAN1N5623US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Apraksts: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi Corporation
Noliktavā
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Apraksts: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Apraksts: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Apraksts: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Apraksts: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.