Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RUF015N02TL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6726925RUF015N02TL attēlsLAPIS Semiconductor

RUF015N02TL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.52
10+
$0.437
100+
$0.328
500+
$0.241
1000+
$0.186
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RUF015N02TL
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.RUF015N02TL.pdf
    2.RUF015N02TL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TUMT3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    800mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    3-SMD, Flat Leads
  • Citi vārdi
    RUF015N02TLCT
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    110pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    2.5nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 1.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RUF015N02TL” saistītie produkti.
DMS3012SFG-7

DMS3012SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RUF025N02TL

RUF025N02TL

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPL60R065C7AUMA1

IPL60R065C7AUMA1

Apraksts: MOSFET HIGH POWER_NEW

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SUM33N20-60P-E3

SUM33N20-60P-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IRFZ24STRR

IRFZ24STRR

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AO4485

AO4485

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
2SK2376(Q)

2SK2376(Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
STY105NM50N

STY105NM50N

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
RUF020N02TL

RUF020N02TL

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
2SK3313(Q)

2SK3313(Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
SQD19P06-60L_T4GE3

SQD19P06-60L_T4GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IPD65R420CFDBTMA1

IPD65R420CFDBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFU9024

IRFU9024

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM110P04-04L-GE3

SQM110P04-04L-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 120A TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RUF025N02FRATL

RUF025N02FRATL

Apraksts: NCH 20V 2.5A MIDDLE POWER MOSFET

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRLL024NPBF

IRLL024NPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BUK6228-55C,118

BUK6228-55C,118

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 31A DPAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
FQI4P40TU

FQI4P40TU

Apraksts: MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.