Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SQD19P06-60L_T4GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2426127SQD19P06-60L_T4GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD19P06-60L_T4GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.696
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SQD19P06-60L_T4GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SQD19P06-60L_T4GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252AA
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 19A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    46W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1490pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 60V 20A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SQD19P06-60L_T4GE3” saistītie produkti.
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD10N30-330H_GE3

SQD10N30-330H_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD100N03-3M4_GE3

SQD100N03-3M4_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD100N03-3M2L_GE3

SQD100N03-3M2L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD100N04-3M6L_GE3

SQD100N04-3M6L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD25N15-52_GE3

SQD25N15-52_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD25N06-22L_T4GE3

SQD25N06-22L_T4GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD100N02-3M5L_GE3

SQD100N02-3M5L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD25N06-22L_GE3

SQD25N06-22L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 25A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD100N04-3M6_GE3

SQD100N04-3M6_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD15N06-42L_GE3

SQD15N06-42L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 15A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQD07N25-350H_GE3

SQD07N25-350H_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.