Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIS778DN-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2046683SIS778DN-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS778DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIS778DN-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SIS778DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    52W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Darbības temperatūra
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1390pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    42.5nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    Schottky Diode (Body)
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIS778DN-T1-GE3” saistītie produkti.
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Apraksts: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Apraksts: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.