Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > RN2605(TE85L,F)

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6399414

RN2605(TE85L,F) attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2605(TE85L,F)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.57

10+

$0.409

25+

$0.318

100+

$0.241

250+

$0.17

500+

$0.136

1000+

$0.104

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN2605(TE85L,F)
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN2605(TE85L,F).pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Piegādātāja ierīču komplekts

SM6
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

47 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

2.2 kOhms
Jauda - maks

300mW
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

SC-74, SOT-457
Citi vārdi

RN2605(TE85LF)CT
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

200MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

100nA (ICBO)
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN2605(TE85L,F)” saistītie produkti.

RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2601(TE85L,F)

RN2601(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2702TE85LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2510(TE85L,F)

RN2510(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2511(TE85L,F)

RN2511(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2507(TE85L,F)

RN2507(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2602(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2603(TE85L,F)

RN2603(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2506(TE85L,F)

RN2506(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN262CST2R

Apraksts: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN25E-I/RM

RN25E-I/RM

Apraksts: RF TXRX MODULE BLUETOOTH SMA ANT

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology

Noliktavā

RN25S-I/RM

RN25S-I/RM

Apraksts: RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology

Noliktavā

RN262GT2R

Apraksts: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Ražotāji: LAPIS Semiconductor

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.