Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RDN120N25
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5314699RDN120N25 attēlsLAPIS Semiconductor

RDN120N25

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RDN120N25
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RDN120N25.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220FN
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210 mOhm @ 6A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    40W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1224pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    250V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RDN120N25” saistītie produkti.
AON7784

AON7784

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SPD08P06PGBTMA1

SPD08P06PGBTMA1

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPA65R310CFDXKSA1

IPA65R310CFDXKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
AOWF12T60P

AOWF12T60P

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
BUK7E1R8-40E,127

BUK7E1R8-40E,127

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
SI4420DY,518

SI4420DY,518

Apraksts: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
IRFU9014N

IRFU9014N

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
AON6413

AON6413

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
AO3403

AO3403

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.