Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RDN080N25FU6
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5948341RDN080N25FU6 attēlsLAPIS Semiconductor

RDN080N25FU6

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RDN080N25FU6
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RDN080N25FU6.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220FN
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 mOhm @ 4A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    35W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    250V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 250V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RDN080N25FU6” saistītie produkti.
PSMN6R5-80PS,127

PSMN6R5-80PS,127

Apraksts: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXFP8N50P3

IXFP8N50P3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BSS138NH6327XTSA2

BSS138NH6327XTSA2

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BUK7614-55A,118

BUK7614-55A,118

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SUD23N06-31L-E3

SUD23N06-31L-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IPC300N20N3X7SA1

IPC300N20N3X7SA1

Apraksts: MV POWER MOS

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FCA22N60N

FCA22N60N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPW65R280C6FKSA1

IPW65R280C6FKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
ZVP1320FTC

ZVP1320FTC

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXTP27N20T

IXTP27N20T

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 27A TO-220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI025N06

FDI025N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STD65N55LF3

STD65N55LF3

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A DPAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
2SJ599(0)-ZK-E1-AY

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.