Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RDN050N20FU6
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
74020RDN050N20FU6 attēlsLAPIS Semiconductor

RDN050N20FU6

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
500+
$0.902
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RDN050N20FU6
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RDN050N20FU6.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220FN
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    720 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    30W (Tc)
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    292pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    18.6nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RDN050N20FU6” saistītie produkti.
NIF9N05CLT3

NIF9N05CLT3

Apraksts: MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NVTFS5116PLWFTAG

NVTFS5116PLWFTAG

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 14A U8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RDN120N25

RDN120N25

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTMFS4925NET1G

NTMFS4925NET1G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 48A SO8-FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SPD08N50C3BTMA1

SPD08N50C3BTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRLL3303TRPBF

IRLL3303TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FQB3N90TM

FQB3N90TM

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IRLR7821TRPBF

IRLR7821TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
STP28N60M2

STP28N60M2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 24A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SPP20N60S5HKSA1

SPP20N60S5HKSA1

Apraksts: HIGH POWER_LEGACY

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPD50N04S4L08ATMA1

IPD50N04S4L08ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
DMN3027LFG-13

DMN3027LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.