Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIS496EDNT-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4401790SIS496EDNT-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIS496EDNT-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6000+
$0.264
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIS496EDNT-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    SIS496EDNT-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    52W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1515pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 50A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIS496EDNT-T1-GE3” saistītie produkti.
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS448DN-T1-GE3

SIS448DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Apraksts: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS454DN-T1-GE3

SIS454DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Apraksts: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.