Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIS612EDNT-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

884547

SIS612EDNT-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS612EDNT-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIS612EDNT-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIS612EDNT-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8S
Citi vārdi

SIS612EDNT-T1-GE3CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2060pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

70nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

N-Channel 20V 50A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIS612EDNT-T1-GE3” saistītie produkti.

SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Apraksts: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Apraksts: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.