Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIRA12DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3984181SIRA12DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRA12DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.01
10+
$0.892
100+
$0.705
500+
$0.547
1000+
$0.432
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIRA12DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.SIRA12DP-T1-GE3.pdf
    2.SIRA12DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.3 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    4.5W (Ta), 31W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SIRA12DP-T1-GE3CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2070pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 25A (Tc) 4.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIRA12DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

Apraksts: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Ražotāji: Everlight Electronics
Noliktavā
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA00DP-T1-GE3

SIRA00DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.