Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIRA00DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4738617SIRA00DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRA00DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$1.093
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIRA00DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.SIRA00DP-T1-GE3.pdf
    2.SIRA00DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SIRA00DP-T1-GE3TR
    SIRA00DPT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    11700pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIRA00DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR892DP-T1-GE3

SIR892DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR890DP-T1-GE3

SIR890DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR928-6C-F

SIR928-6C-F

Apraksts: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

Ražotāji: Everlight Electronics
Noliktavā
RFQ
SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIR888DP-T1-GE3

SIR888DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.