Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIRA22DP-T1-RE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3610988

SIRA22DP-T1-RE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA22DP-T1-RE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.689

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIRA22DP-T1-RE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIRA22DP-T1-RE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® SO-8
Sērija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.76 mOhm @ 15A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

83.3W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® SO-8
Citi vārdi

SIRA22DP-T1-RE3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

32 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

7570pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

155nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

25V
Detalizēts apraksts

N-Channel 25V 60A (Tc) 83.3W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIRA22DP-T1-RE3” saistītie produkti.

SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA52DP-T1-RE3

SIRA52DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 30V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.