Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHP12N65E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1471140SIHP12N65E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHP12N65E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.73
10+
$2.463
100+
$1.979
500+
$1.54
1000+
$1.276
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHP12N65E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHP12N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 6A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    156W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    SIHP12N65E-GE3CT
    SIHP12N65E-GE3CT-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1224pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    650V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHP12N65E-GE3” saistītie produkti.
SIHP14N60E-GE3

SIHP14N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP14N50D-GE3

SIHP14N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP11N80E-GE3

SIHP11N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP15N60E-E3

SIHP15N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP15N60E-GE3

SIHP15N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N50C-E3

SIHP12N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP15N65E-GE3

SIHP15N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP17N60D-E3

SIHP17N60D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP14N50D-E3

SIHP14N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP17N60D-GE3

SIHP17N60D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP16N50C-E3

SIHP16N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.