Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHP15N65E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
316300SIHP15N65E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHP15N65E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$2.143
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHP15N65E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHP15N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280 mOhm @ 8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    34W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    SIHP15N65E-GE3CT
    SIHP15N65E-GE3CT-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1640pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    650V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 650V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHP15N65E-GE3” saistītie produkti.
SIHP22N60AE-GE3

SIHP22N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP16N50C-E3

SIHP16N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP14N50D-E3

SIHP14N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP17N60D-GE3

SIHP17N60D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP15N60E-E3

SIHP15N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP21N65EF-GE3

SIHP21N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP18N50C-E3

SIHP18N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP14N60E-GE3

SIHP14N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP18N60E-GE3

SIHP18N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP17N60D-E3

SIHP17N60D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP15N60E-GE3

SIHP15N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP17N80E-GE3

SIHP17N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N65E-GE3

SIHP12N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP14N50D-GE3

SIHP14N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHP21N60EF-GE3

SIHP21N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.