Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHJ8N60E-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5311371

SIHJ8N60E-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHJ8N60E-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$2.60

10+

$2.351

100+

$1.89

500+

$1.47

1000+

$1.218

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHJ8N60E-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIHJ8N60E-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® SO-8
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

520 mOhm @ 4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

89W (Tc)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® SO-8
Citi vārdi

SIHJ8N60E-T1-GE3CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

754pF @ 100V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

44nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

600V
Detalizēts apraksts

N-Channel 600V 8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIHJ8N60E-T1-GE3” saistītie produkti.

SIHP050N60E-GE3

SIHP050N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHJ10N60E-T1-GE3

SIHJ10N60E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHH27N60EF-T1-GE3

SIHH27N60EF-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP11N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP12N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHH24N65EF-T1-GE3

SIHH24N65EF-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHH26N60E-T1-GE3

SIHH26N60E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP12N50C-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHJ6N65E-T1-GE3

SIHJ6N65E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP10N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHH26N60EF-T1-GE3

SIHH26N60EF-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP12N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP12N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP10N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHH24N65E-T1-GE3

SIHH24N65E-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHP12N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.