Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHG28N65EF-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
460945SIHG28N65EF-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG28N65EF-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$8.02
25+
$6.448
100+
$5.875
500+
$4.757
1000+
$4.012
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHG28N65EF-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHG28N65EF-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247AC
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    117 mOhm @ 14A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    250W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3249pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    146nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    650V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 650V 28A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHG28N65EF-GE3” saistītie produkti.
SIHG25N40D-E3

SIHG25N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG24N65EF-GE3

SIHG24N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG28N60EF-GE3

SIHG28N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N65E-GE3

SIHG22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG24N65E-GE3

SIHG24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N60E-GE3

SIHG33N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG33N65E-GE3

SIHG33N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.