Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHG23N60E-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3791653SIHG23N60E-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG23N60E-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$5.40
10+
$4.824
100+
$3.956
500+
$3.203
1000+
$2.702
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIHG23N60E-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIHG23N60E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247AC
  • Sērija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    158 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    227W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2418pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIHG23N60E-GE3” saistītie produkti.
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N65E-GE3

SIHG22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N50D-E3

SIHG22N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG24N65EF-GE3

SIHG24N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG28N60EF-GE3

SIHG28N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60EL-GE3

SIHG22N60EL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG25N40D-E3

SIHG25N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIHG24N65E-GE3

SIHG24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.