Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIHG25N40D-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1245226

SIHG25N40D-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG25N40D-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$4.28

10+

$3.824

100+

$3.136

500+

$2.539

1000+

$2.141

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIHG25N40D-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.SIHG25N40D-GE3.pdf
2.SIHG25N40D-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-247AC
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 13A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

278W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-247-3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

18 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1707pF @ 100V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

88nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

400V
Detalizēts apraksts

N-Channel 400V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIHG25N40D-GE3” saistītie produkti.

SIHG24N65EF-GE3

SIHG24N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG24N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG30N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG22N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG33N60E-E3

SIHG33N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG28N60EF-GE3

SIHG28N60EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG22N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 600V

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG32N50D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG22N60EL-GE3

SIHG22N60EL-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG30N60E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG32N50D-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG22N65E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG23N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG25N40D-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG25N50E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIHG24N65E-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.