Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIA416DJ-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
744574SIA416DJ-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIA416DJ-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.30
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIA416DJ-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIA416DJ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    83 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SC-70-6
  • Citi vārdi
    SIA416DJ-T1-GE3TR
    SIA416DJT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    295pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 11.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    11.3A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIA416DJ-T1-GE3” saistītie produkti.
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA411DJ-T1-E3

SIA411DJ-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA408DJ-T1-GE3

SIA408DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA406DJ-T1-GE3

SIA406DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.