Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIA425EDJ-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4371846SIA425EDJ-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SIA425EDJ-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SIA425EDJ-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SIA425EDJ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SC-70-6
  • Citi vārdi
    SIA425EDJ-T1-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 4.5A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SIA425EDJ-T1-GE3” saistītie produkti.
SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA431DJ-T1-GE3

SIA431DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.