Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SIA110DJ-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5887121

SIA110DJ-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA110DJ-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$1.09

10+

$0.967

100+

$0.764

500+

$0.593

1000+

$0.468

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SIA110DJ-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SIA110DJ-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® SC-70-6 Single
Sērija

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
Iepakojums

Original-Reel®
Iepakojums / lieta

PowerPAK® SC-70-6
Citi vārdi

SIA110DJ-T1-GE3DKR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

32 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

550pF @ 50V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

13nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

7.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

100V
Detalizēts apraksts

N-Channel 100V 5.4A (Ta), 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.4A (Ta), 12A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SIA110DJ-T1-GE3” saistītie produkti.

SIA406DJ-T1-GE3

SIA406DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Ražotāji: Vishay Siliconix

Noliktavā

SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA106DJ-T1-GE3

SIA106DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA411DJ-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA408DJ-T1-GE3

SIA408DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SIA416DJ-T1-GE3

SIA416DJ-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.