Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7802DN-T1-E3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5548890SI7802DN-T1-E3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7802DN-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7802DN-T1-E3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7802DN-T1-E3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    435 mOhm @ 1.95A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Citi vārdi
    SI7802DN-T1-E3TR
    SI7802DNT1E3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    250V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 250V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.24A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7802DN-T1-E3” saistītie produkti.
SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.