Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7810DN-T1-E3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5321799

SI7810DN-T1-E3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7810DN-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.578

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7810DN-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7810DN-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

62 mOhm @ 5.4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.5W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8
Citi vārdi

SI7810DN-T1-E3TR
SI7810DNT1E3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

17nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

6V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

100V
Detalizēts apraksts

N-Channel 100V 3.4A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7810DN-T1-E3” saistītie produkti.

SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7820DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7840BDP-T1-GE3

SI7840BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7842DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7802DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7804DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7818DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7812DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.