Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7748DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
261494SI7748DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7748DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7748DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7748DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.7V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    SkyFET®, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    4.8W (Ta), 56W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SI7748DP-T1-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3770pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    92nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7748DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.