Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7617DN-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2745460

SI7617DN-T1-GE3 attēls

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7617DN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.411

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI7617DN-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI7617DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerPAK® 1212-8
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

PowerPAK® 1212-8
Citi vārdi

SI7617DN-T1-GE3TR
SI7617DNT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

27 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1800pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

59nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI7617DN-T1-GE3” saistītie produkti.

SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7540DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7601DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7540DP-T1-GE3

SI7540DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.