Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7635DP-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2690458SI7635DP-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7635DP-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7635DP-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7635DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® SO-8
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.9 mOhm @ 26A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    5W (Ta), 54W (Tc)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® SO-8
  • Citi vārdi
    SI7635DP-T1-GE3DKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4595pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    143nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 40A (Tc) 5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7635DP-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7636DP-T1-E3

SI7636DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7661CSA+

SI7661CSA+

Apraksts: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Ražotāji: Maxim Integrated
Noliktavā
RFQ
SI7661DJ

SI7661DJ

Apraksts: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Ražotāji: Maxim Integrated
Noliktavā
RFQ
SI7661CJ+

SI7661CJ+

Apraksts: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Ražotāji: Maxim Integrated
Noliktavā
RFQ
SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7661CSA+T

SI7661CSA+T

Apraksts: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Ražotāji: Maxim Integrated
Noliktavā
RFQ
SI7661ESA+

SI7661ESA+

Apraksts: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Ražotāji: Maxim Integrated
Noliktavā
RFQ
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.