Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI7615CDN-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6878732SI7615CDN-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7615CDN-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.209
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI7615CDN-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI7615CDN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerPAK® 1212-8
  • Sērija
    TrenchFET® Gen III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 12A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    33W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    PowerPAK® 1212-8
  • Citi vārdi
    SI7615CDN-T1-GE3TR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3860pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    63nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI7615CDN-T1-GE3” saistītie produkti.
SI7601DN-T1-E3

SI7601DN-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH POWERPAK8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7501DN-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7530DP-T1-E3

SI7530DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7540DP-T1-GE3

SI7540DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7611DN-T1-GE3

SI7611DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7540DP-T1-E3

SI7540DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7629DN-T1-GE3

SI7629DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.