Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4465ADY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
903033

SI4465ADY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.31
10+
$2.089
100+
$1.679
500+
$1.306
1000+
$1.082
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4465ADY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 8V 8SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI4465ADY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 14A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3W (Ta), 6.5W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4465ADY-T1-GE3CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    33 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    85nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    8V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 8V 3W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI4465ADY-T1-GE3” saistītie produkti.
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI4472DY-T1-GE3

SI4472DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.