1935330

SI4463BDY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.685

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4463BDY-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4463BDY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 13.7A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.5W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI4463BDY-T1-GE3TR
SI4463BDYT1GE3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

56nC @ 4.5V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

20V
Detalizēts apraksts

P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

9.8A (Ta)

Šis ir ar “SI4463BDY-T1-GE3” saistītie produkti.

SI4464DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4462DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4464-B1B-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4465ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4461-C2A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4464DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4463-C2A-GMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4463-C2A-GM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4463-B0B-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4464-B1B-FMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4463BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4463CDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4465ADY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4466DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4466DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

SI4463-915-DK

Apraksts: KIT DEV WIRELESS SI4463 915MHZ

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4464-B1X-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4463-B1B-FMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4463-B1B-FM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

RFQ

SI4462DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

SI4463BDY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

SI4464DY-T1-GE3

SI4462DY-T1-GE3

SI4464-B1B-FM

SI4465ADY-T1-GE3

SI4461-C2A-GMR

SI4464DY-T1-E3

SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GM

SI4463-B0B-FM

SI4464-B1B-FMR

SI4463BDY-T1-E3

SI4463CDY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-GE3

SI4463-915-DK

SI4464-B1X-FM

SI4463-B1B-FMR

SI4463-B1B-FM

SI4462DY-T1-E3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda