Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4472DY-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6532787

SI4472DY-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI4472DY-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.1W (Ta), 5.9W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    SI4472DY-T1-GE3TR
    SI4472DYT1GE3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1735pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    8V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    150V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 150V 7.7A (Tc) 3.1W (Ta), 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.7A (Tc)
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4483EDY-T1-E3

SI4483EDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4483EDY-T1-GE3

SI4483EDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4486EY-T1-GE3

SI4486EY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4484EY-T1-GE3

SI4484EY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4477DY-T1-GE3

SI4477DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4472DY-T1-E3

SI4472DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4480DY-T1-E3

SI4480DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4486EY-T1-E3

SI4486EY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Apraksts: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
SI4484EY-T1-E3

SI4484EY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu